IDT הכריזה על מנחתי RF מדוייקים F2255/58

פורסם ב-אוגוסט 26, 2015

המנחתים מיועדים לשימוש ביישומים הדורשים הנחתה עם דיוק גבוה, דוגמת תחנות בסיס סלולריות, ציוד תקשורת נייד, מכשירי בדיקה, ומערכות תקשורת אזרחיות וצבאיות בתדרי HF, VHF ו-UHF

Share via Whatsapp

המנחתים מיועדים לשימוש ביישומים הדורשים הנחתה עם דיוק גבוה, דוגמת תחנות בסיס סלולריות, ציוד תקשורת נייד, מכשירי בדיקה, ומערכות תקשורת אזרחיות וצבאיות בתדרי HF, VHF ו-UHF

IDT

חברת IDT הרחיבה את משפחת מנחתי ה-RF מבוקרי מתח (VVA) עם 2 מנחתים חדשים מדגם F2255 ו-F2258. המנחתים החדשים תומכים בתדרים בטווח 1MHz-6GHz ומאופניינים בלינאריות גבוהה והפסדי שילוב (Insertion Loss) נמוכים. המנחתים מיועדים לשימוש בעיקר לצורך בקרה אנלוגית ביישומים הדורשים הנחתה עם דיוק גבוה, כמו למשל בתחנות בסיס סלולריות, ציוד תקשורת נייד, מכשירי בדיקה, ומערכות תקשורת אזרחיות וצבאיות בתדרי HF, VHF ו-UHF.

על-מנת לשפר את ביצועי ה-RF של המנחתים, חברת IDT עושה שימוש במוליך למחצה מסוג סיליקון. רכיבי RF העשויים מסיליקון מאופיינים בביצועים טובים יותר בהשוואה לרכיבים העשויים מגליום ארסנייד (GaAs). בנוסף, קיים שיפור גם בפריקה האלקטרו-סטטית ובביצועיים הטרמיים של המנחתים, צריכת הזרם קטנה יותר ואמינות גדולה יותר.

רכיב F2258 מאופיין ב-IP3 של עד 65dBm, שיפוע הנחתה של 33db/Volt, הפסדי החזרה מינימליים בתדר 60,000MHz של עד 12.5db וטמפרטורת עבודה מקסימלית של 105 מעלות צלזיוס. רכיב F2255 תומך בתדרים נמוכים של עד 1MHz ובעל שיפוע הנחתה מקסימלי של 33db/Volt. שני הרכיבים בעלי חיבור RF דו-כיווני, מתח הזנה חיובי יחיד של 3V או 5V וטווח טמפרטורת עבודה בין -40 עד 105 מעלות צלזיוס.

המנחתים החדשים מגיעים במארז קומפקטי מסוג TQFN בעל 16 פינים ובגודל של 3 מ"מ על 3 מ"מ.

למידע נוסף: F2255/58

פורסם בקטגוריות: Analog , כללי