TI הכריזה על טרנזיסטורי FemtoFET במארזים זעירים

פורסם ב-נובמבר 6, 2013

חברת טקסס אינסטרומנטס (TI) הכריזה על סדרה חדשה של טרנזיסטורי MOSFET במשפחת FemtoFET, המופיעים במארז קטן במיוחד לצורך שימוש באבזרים ניידים וחסכוניים באנרגיה

Share via Whatsapp

חברת טקסס אינסטרומנטס (TI) הכריזה על סדרה חדשה של טרנזיסטורי MOSFET במשפחת FemtoFET, המופיעים במארז קטן במיוחד לצורך שימוש באבזרים ניידים כמו סמארטפונים ומוצרים חסכוניים באנרגיה.

Femtofet

The new family of FemtoFET MOSFET transistors features ultra-small packaging and on-resistance below 100 milli-ohm. For more information, samples and SPICE models, visit http://www.ti.com/femtofet-pr-eu.

The three N-channel and three P-channel FemtoFET MOSFETs are packaged in a land grid array (LGA) that reduces board space by up to 40 percent when compared to chip scale packaging (CSP). The CSD17381F4 and CSD25481F4 feature ultra-low on-resistance below100 milli-ohm, which is 70-percent lower than similar devices in the market today. All the FemtoFET MOSFETS provide electrostatic discharge (ESD) protection greater than 4,000 V human body model (HBM). Watch a video here.

פורסם בקטגוריות: Analog , כללי