Vishay חשפה טרנזיסטורי הספק MOSFET חדשים

פורסם ב-דצמבר 3, 2013

מדובר בטרנזיסטורי P-channel Gen III Power MOSFET, אשר מופיעים במארזי PowerPAK ו- ChipFET. הם מיועדים לייעל את צריכת ההספק באבזרים ניידים ובמערכות בקרה תעשייתיות

Share via Whatsapp

Vishay הרחיבה את קו מוצרי טרנזיסטורי ההספק MOSFET ממשפחת TrenchFET.

VISHAY-MOSFET

מדובר בטרנזיסטורי הספק מסוג P-channel Gen III Power MOSFET, אשר מופיעים במארזי PowerPAK ו- ChipFET. הם עובדים במתח של 12V- וכן במתח של 20V-, ומיועדים לייעל את צריכת ההספק באבזרים ניידים ובמערכות בקרה תעשייתיות.

With low on-resistance at -4.5 V and -2.5 V gate drives, the Si5411EDU, Si5415AEDU, and SiSS23DN allow designers to achieve lower voltage drops in their circuit.

To save PCB space, the -12 V Si5411EDU and -20 V Si5415AEDU offer low on-resistance down to 8.2 mΩ (-4.5 V) and 11.7 mΩ (-2.5 V) in the 3.0 mm by 1.9 mm PowerPAK ChipFET package.

For applications requiring extremely-low on-resistance, the SiSS23DN provides values of 4.5 mΩ ( -4.5 V) and 6.3 mΩ (-2.5 V) in the 3.3 mm by 3.3 mm PowerPAK 1212-8S package with a low 0.75 mm profile.

For more information: Digi-Key

פורסם בקטגוריות: Analog