Fairchild הכריזה על טרנזיסטור IGBT תעשייתי ל-1200V

פורסם ב-דצמבר 15, 2013

הטרנזיסטורים מסוג IGBT משלבים בין יתרונות ה-MOS (שליטה באמצעות מתח) לבין יתרונות ההספק הגבוה של טרנזיסטורים פולאריים. הם הם מיועדים לשימוש ביישומים תעשייתיים עתירי אנרגיה

Share via Whatsapp

חברת Fairchild Semiconductor הכריזה על טרנזיסטור הספק IGBT רב עוצמה יישומים תעשייתיים מסוג IGBT – Insulated Gate Bipolar Transistor.

IGBTמדובר בטרנזיסטורים המשלבים בין יתרונות ה-MOS (שליטה באמצעות מתח) לבין יתרונות ההספק הגבוה של טרנזיסטורים פולאריים.

הטרנזיסטורים החדשים מדגם FGH15T120SMD עובדים במתח של עד 1200V ומספקים זרם של עד 15A. הם מיועדים ליישומים תעשייתיים דוגמת בקרת הספק במערכות אנרגיה סולאריות, מערכות UPS, רתכות וציוד תעשייתי כבד אחר.

Features and Benefits:

Low saturation voltage: VCE(SAT) = 1.8 V @ rated collector current (Ic)

High speed switching: Low EOFF = 27 µJ/A

Large SOA (100 percent inductive load switching test; ILM = 4 times Ic rating)

Easy parallel operation (positive temperature coefficient)

Tj = 175 degrees C (maximum junction temperature)

High input impedance

RoHS compliant.

More information: Fairchild IGBT

פורסם בקטגוריות: Power