Melexis: זיכרון EEPROM בחיישן Hall Effect מיתכנת

פורסם ב-דצמבר 30, 2013

חברת Melexis הבלגית הכריזה על שני חיישני Hall Effect מיתכנתים חדשים מדגם MLX92231 ו- MLX92211 הכוללים זיכרון EEPROM פנימי. החיישנים מאפשרים למתכננים לתכנת את ערכי הסף המגנטיים, כולל יצירת עקומת היסטרזיס

Share via Whatsapp

MELEXIS-SENSORחברת Melexis הבלגית הכריזה על שני חיישני Hall Effect מיתכנתים חדשים מדגם MLX92231 ו- MLX92211 הכוללים זיכרון EEPROM פנימי.

החיישנים מאפשרים למתכננים לתכנת את ערכי הסף המגנטיים, כולל יצירת עקומת היסטרזיס. קוד זיהוי ייחודי בעל 32 סיביות מאפשר ניהול ומעקב אחרי כל חיישן בניפרד.

הם מופיעים במארז תעשייתי סטנדרטי TSOT23 בעל שלוש רגליים, וכוללים מייצב מתח, דרייבר יציאה ומנגנון פיצוי מובנה.

Covering a wide operational voltage range (2.7V to 24V) and supporting an extensive operational temperature range (-40°C to +150°C), these AEC-Q100-qualified devices are highly suited to use in the most demanding of automotive and industrial settings.

MELEXIS

More information: MLX92231/11

פורסם בקטגוריות: Analog , Memory , Sensors