IXYS הרחיבה את משפחת המודולים 650V XPT IGBT

פורסם ב-ינואר 5, 2014

בעיקבות השדרוג, רכיבי IGBT החדשים מאפשרים אספקת זרם של 16A-200A ותמיכה בקצבי מיתוג של עד 60kHz. הרכיבים החדשים עומדים במימתח הפוך של עד 650V

Share via Whatsapp

חברת IXYS מקליפורניה, המפתחת מעגלים משולבים ורכיבי הספק, עידכנה את משפחת מגברי ההספק 650V XPT™ IGBT.

בעיקבות השדרוג, הרכיבים מאפשרים אספקת זרם של 16A-200A ותמיכה בקצבי מיתוג של עד 60kHz. הרכיבים החדשים עומדים במימתח הפוך של עד 650V ומופיעים במארזי TO-22, TO-247, TO-263, TO-268HV ו-SOT-227B.

IXYS

The newly introduced 650V XPT IGBT was designed using planar technology with improved methods to reduce the inherent parasitic resistance.

The XPT IGBT has a low VCE(sat) of typical 1.6V @Inom,25°C and 1.85V @Inom,150°C. The positive temperature coefficient of the XPT IGBT provides a negative feedback, making the XPT suitable for paralleling in modules or circuits.

In addition to the low VCE(sat) the XPT IGBT also has a low offstate leakage current at 150°C (<100μA @650V) where the max junction temperature is specified at 175°C.

More information: IXYS IGBT

Future Electronics 
Telephone:  +972-9-9701414 
http://www.futureelectronics.com 

פורסם בקטגוריות: Analog , Power , כללי