Microsemi הכריזה על מיישרי זרם מבוססי MOSFET

פורסם ב-ינואר 7, 2014

חברת Microsemi הכריזה על גשר הדיודות החדש, PD70224 IdealPoE, המשמש כמיישר זרם כפול מבוסס טרנזיסטורי MOSFET בעל נצילות גבוהה. אחד מיישומי המטרה: כוח על-גבי איתרנט (PoE)

Share via Whatsapp

חברת Microsemi הכריזה על גשר הדיודות החדש, PD70224 IdealPoE, המשמש כמיישר זרם כפול מבוסס טרנזיסטורי MOSFET בעל נצילות גבוהה.

microsemiהרכיב מיועד לשימוש בעיקר ביישומים הדורשים חיסכון באנרגיה לצד שימוש בזרמים גבוהים יחסית. בהם: מערכות המקבלות אנרגיה באמצעות קווי תקשורת איתרנט (PoE), יישומי Power-over-HDBaseT, נקודות גישה לרשתות LAN אלחוטיות, תאים סלולריים קטנים ומתגים ונתבים קטנים. ביישומים אלה ניתן להשמש ברכיב ללא תוספת של רכיבים חיצוניים.

גשר הדיודות מיועד להעברת זרם של עד 1A. הוא כולל את כל המעגלים הפנימיים הדרושים לדחיפת טרנזיסטורי ה-MOSFET ותואם לתקני IEEE802.3af ו-IEEE802.3at.

 mosfet

PD70224 is a dual pack of MOSFET-based full-bridge rectifiers. It contains low-RDS 0.15Ohm N-channel MOSFETs for much higher overall efficiency and higher output power, particularly when used in Powered Devices for Power over Ethernet (PoE) applications.

The entire drive circuitry for driving the MOSFETs is on-chip, including a charge pump for driving the high-side N-channel MOSFETs. The total forward drop (bridge offset) introduced by the IdealBridge™ rectifier is only 180mV at 0.6A, compared to a standard bridge rectifier that typically presents 2000mV of forward drop.

More information: PD70224

Future Electronics 
Telephone:  +972-9-9701414 
http://www.futureelectronics.com 

פורסם בקטגוריות: Analog , Power , כללי