Cypress הכריזה על זיכרונות F-RAM לטמפ' קיצוניות

פורסם ב-אוקטובר 22, 2014

טכנולוגיית ה-F-RAM של חברת Cypress מאפשרת לקבל רכיבי זיכרון בלתי נדיף בעלי כושר שרידות של 100 שנה ו-100 טריליון פעולות קריאה/כתיבה

Share via Whatsapp

FRAM CHIPטכנולוגיית ה-F-RAM של חברת Cypress מאפשרת לקבל רכיבי זיכרון בלתי נדיף בעלי כושר שרידות של 100 שנה ו-100 טריליון פעולות קריאה/כתיבה

חברת Cypress Semiconductor מסן-חוזה, קליפורניה, הרחיבה את משפחת הזיכרונות הבלתי-נדיפים מסוג F-RAM. ההרחבה כוללת אספקת הזיכרונות במארז TSOPII בעל 44 תקעים. המארז מאפשר לקבל זיכרון בנפח של 1Mb לתקשורת מקבילית. בנוסף, היא הוסיפה למשפחה רכיבי זיכרון בנפח של 2Mb המופיעים במארז TDFN בעל 8 תקעים, המיועדים לתקשורת טורית. רכיבים אלה גם מתאימים לעבודה בטווח טמפרטורות קיצוניות של מינוס 40°C  ועד 105°C.

רכיבים אלו מיועדים לשימוש במערכות קריטיות בתעשייה ובשוק הרכב. רכיבי ה-F-RAM החדשים מסוגלים לפעול במשך 100 שנים ללא תמיכת סוללה, ומספקים תאימות מלאה לרכיבי זיכרון מסוג SRAM, הזקוקים לסוללה בכדי לפעול בתקינות. להערכת החברה, הרכיבים עמידים בכ-100 טריליון פעולות כתיבה/קריאה.

תרשים עקרוני של תא זיכרון בטכנולוגיית F-RAM
תרשים עקרוני של תא זיכרון בטכנולוגיית F-RAM

טכנולוגיית F-RAM של Cypress מבוססת על גביש פרו-אלקטרי (Ferroelectric) מסוג PZT – Lead Zirconate Titanate. הגביש מורכב מכלוב עופרת וחמצן שבתוכו כלוא  אטום זירקוניון (Zr). מבנה זה מקיים דיפול חשמלי המשמש כמתג בינארי ומשנה את מצבו כתלות בשדה חשמלי המופעל עליו. בנוסף, היות וחומר זה פרו-אלקטרי הוא משמר את השדה החשמלי החיצוני שהופעל עליו לאחרונה, ובכך משמר את מצבו ללא מקור מתח חיצוני. תכונה חשובה נוספת של חומרים מסוג זה היא שאינם מושפעים משדות מגנטיים.

“Cypress offers the industry’s fastest, most energy-efficient nonvolatile RAM solutions and we are committed to expanding our leading portfolio,” said Rainer Hoehler, Senior Director of the Nonvolatile Products Business Unit at Cypress. “We are pleased to offer these additional package and temperature range options to our F-RAM customers.”

Availability
The 1 Mb parallel asynchronous interface F-RAM device in a 44-pin TSOPII package and the extended temperature range of -40˚C to +105˚C for the 2 Mb SPI F-RAM device in an 8-pin TDFN package are both available now.

More information: www.cypress.com/nonvolatile

פורסם בקטגוריות: Memory , כללי