IR חשפה טרנזיסטורי MOSFET חדשים להגנת סוללות

פורסם ב-דצמבר 3, 2014

היתרון המשמעותי ביותר של מעגלי הגנה מבוססי MOSFET הוא שההתנגדות האפקטיבית הנמוכה מקטינה את הפסדי ההספק

Share via Whatsapp

IRהיתרון המשמעותי ביותר של מעגלי הגנה מבוססי MOSFET הוא שההתנגדות האפקטיבית הנמוכה מקטינה את הפסדי ההספק

חברת International Rectifier הכריזה על מארז טרנזיסטורי ה-MOSFET מדגם IRL6297SD, אשר מיועד לספק הגנה לסוללות ליתיום-יון בעלות מתח נמוך.

הרכיב החדש מכיל שני טרנזיסטורים מסוג dual N-channel למתח של 20V המחוברים בטור. הוא מגיע במארז קומפקטי מסוג DirectFET המתאים לסוללות קטנות של מכשירים ניידים. טרנזיסטור המוצא במארז החדש מאופיין בהתנגדות on-state נמוכה (התנגדות אפקטיבית בין יציאת ה-drain ל-source).

תצורת הטרנזיסטורים ברכיב IRL6297SD
תצורת הטרנזיסטורים ברכיב IRL6297SD

מעגלי ההגנה לסוללות מיועדים להגן על המכשיר ולא על הסוללה עצמה. ההגנה מונעת מעבר מתח גבוה, זרם אחורי, קצר או תופעות אי-סדירות אחרות שעלולת לגרום לנזקים במעגל החשמלי המחובר למקור. מעגלי הגנה המבוססים על טרנזיסטורי MOSFET מגינים על המעגל באמצעות אילוץ של מתח קבוע, ומנתקים את המעגל מהסוללה במקרה של תקלה אפשרית כמו קצר, זרם אחורי (Reverse Current) או הפיכת קטבים.

היתרון המשמעותי ביותר של מעגלי הגנה מבוססי MOSFET הוא שההתנגדות האפקטיבית הנמוכה מאוד בטווח רחב של מתחים, מקטינה את הפסדי ההספק על מעגל ההגנה, במהלך פעולה שוטפת של המעגל.

Datasheets and a MOSFET product selection tool are available on the International Rectifier website at http://www.irf.com.

פורסם בקטגוריות: Analog , כללי