Infineon: משפחת טרניסטורי ההספק L5 IGBT

פורסם ב-פברואר 4, 2015

הטרנזיסטורים החדשים של Infineon מבוססים על טכנולוגיית TRENCHSTOP 5. הם בנויים כשילוב של טרנזיסטור MOSFET וטרנזיסטור BJT, ומשמשים כמתג מהיר באלקטרוניקת הספק

Share via Whatsapp

IGBTהטרנזיסטורים החדשים של Infineon מבוססים על טכנולוגיית TRENCHSTOP 5. הם בנויים כשילוב של טרנזיסטורי MOSFET ו-BJT, ומשמשים כמתג מהיר באלקטרוניקת הספק 

חברת Infineon הכריזה על משפחה חדשה של טרנזיסטורי IGBT בשם L5 IGBT, המבוססים על טכנולוגיית TRENCHSTOP 5. מדובר על טרנזיסטורים המשמשים כמתג מהיר באלקטרוניקת הספק הבנויים כשילוב של טרנזיסטור MOSFET וטרנזיסטור BJT.

הטרנזיסטורים החדשים מיועדים למיתוג בתדרים נמוכים של 50hz-20Khz והם בעלי מתח רווייה נמוך. מאפיין ייחודי זה של הטרנזיסטור יכול להיות שימושי באפליקציות כמו מערכות אל-פסק (UPS), מערכות פוטו-וולטאיות ומערכות ריתוך.

הטכנולוגיה של הטרנזיסטורים החדשים מקטינה את הפסדי ההולכה ואת הפסדי המיתוג המגיעים ל 1.6mJ בלבד, כתוצאה מזה היעילות והאמינות שלהם משתפרת ומאפשרת להקטין את גודל הרכיבים המיועדים לתדרים נמוכים.

INFINEON

בעזרת טכנולוגיית TRENCHSTOP 5 ומתח הרוויה הנמוך של 1.25V בטמפרטורה 25 מעלות, ניתן להגיע לרמות גבוהות של יעילות. הרכיבים ממשפחת L5 יכולים להגיע כטרנזיסטור IGBT יחיד העובד בזרמים של 35A או 75A או כשילוב של טרנזיסטור IGBT ודיודה ברכיב אחד. הטרנזיסטורים מגיעים במארז סטנדרטי TO-247 בעל 3 פינים או במארז TO-247 Kelvin-Emitter בעל 4 פינים המיועד להקטין את הפסדי המיתוג בכ-20% נוספים.

למידע נוסף: L5 IGBT

פורסם בקטגוריות: Analog , Power , כללי