Toshiba הכריזה על משפחת מייצבי המתח TCR3DM

פורסם ב-פברואר 22, 2015

מייצבי TCR3DM של Toshiba מספקים זרם מוצא של 300mA ומתח מוצא בטווח 1V-4.5V

Share via Whatsapp

מייצבי TCR3DM של Toshiba מספקים זרם מוצא של 300mA ומתח בטווח 1V-4.5V

TOSHIBA

חברת Toshiba הכריזה על משפחה חדשה של מייצבי מתח LDO, המבוססים על טכנולוגיית CMOS ומיוצרים במארז מוקטן. מייצבי המתח החדשים ממשפחת TCR3DM, מספקים זרם מוצא של 300mA ומתח מוצא בטווח 1V-4.5V, עם אפשרות לקבוע את מתח היציאה במדרגות של 50mV.

הרכיבים החדשים מיועדים לשימוש במכשירים בהם יש חשיבות לגודל המוצר ולצריכת הספק נמוכה. המייצבים מספקים נפילת מתח אופיינית של 210mV בלבד (עבור עבודה של 2.5V וזרם של 300mA). רעש מתח היציאה הוא 38μVrms בלבד במתח של 2.5V וזרם של 10mA. המייצב מספק דחייה גבוהה של אדוות ספק כוח של 70db. עבור שינוי זרם יציאה בין 1mA עד 300mA, מתקבלות תופעות מעבר של 80mV בלבד על העומס.

המייצבים החדשים כוללים הגנה מפני זרם הפעלה גבוה, זרם-יתר, חימום-יתר ופריקת מוצא אוטומטית. מייצבי המתח ממשפחת TCR3DM מיוצרים במארז קטן מסוג DFN4 בגודל 1mm x 1mm x 0.58mm. בנוסף, הם יכולים להגיע גם במארז SOT-25 לשימוש סטנדרטי באפליקציות תעשייתיות.

למידע נוסף: TCR3DM

פורסם בקטגוריות: Analog , Power , כללי