סמסונג חשפה זיכרון DRAM מסוג LPPDR4 בנפח של 8Gb

פורסם ב-פברואר 2, 2014

חברת Samsung Electronics מדרום קוריאה הכריזה על השקת רכיב זיכרון DRAM חדש, שלהערכתה הוא רכיב ה-8Gb הראשון בתעשייה העומד בתקן ההספק הנמוך וקצב העברת הנתונים הכפול LPDDR4

Share via Whatsapp

חברת Samsung Electronics מדרום קוריאה הכריזה על השקת רכיב זיכרון DRAM חדש, שלהערכתה הוא רכיב ה-8Gb הראשון בתעשייה העומד בתקן ההספק הנמוך וקצב העברת הנתונים הכפול LPDDR4.

SAMSUNG

הרכיב מיוצר בתהליך של 20-30 ננומטר וכולל ארבעה שבבים שכל אחד מהם הוא בנפח של 1GB. כשהם מורכבים ביחד, הם מספקים רכיב זיכרון בנפח של 4GB, בעל קצב העברת נתונים של 3,200Mbps בכל תקע. מהירות זו כפולה ממהירות העברת הנתונים ברכיבי LPDDR3. במקביל, צריכת ההספק במתח של 1.1V, נמוכה בכ-40% בהשוואה לרכיבי LPDDR3.

More information: Samsung DRAM

פורסם בקטגוריות: Digital , Memory