סמסונג החלה בייצור DDR3 DRAM ב-20 ננומטר

פורסם ב-מרץ 11, 2014

המודולים החדשים הם בנפח של 4Gb. "הטכנולוגיה תהווה בסיס לייצור זיכרונות DRAM מהדור הבא, בגיאומטריה של 10 ננומטר"

Share via Whatsapp

שוק ה-DRAM העולמי הסתכם ב-35.6 מיליארד דולר ב-2013

SAMSUNG-DRAM

חברת סמסונג (Samsung) הודיעה השבוע של ייצור סדרתי של רכיבי הזיכרון המתקדמים ביותר שלה: זיכרונות DRAM מסוג DDR3 המיוצרים בגיאומטריה של 20 ננומטר. הרכיבים הראשונים שייצאו לשוק הם בנפח של 4Gb.

הקושי העיקרי בשדרוג זיכרונות DRAM נעוץ בעובדה שבכל תא זיכרון קיים גם טרנזיסטור וגם קבל המקושרים אחד לשני. זאת בניגוד לזיכרונות FLASH, המבוססים על טרנזיסטורים בלבד. החברה מסרה שהיא פיתחה תהליך ייצור ייעודי לזיכרונות החדשים, הכולל שימוש בטכניקות ליתוגרפיה וגידול שכבות חדשה. "הטכנולוגיה החדשה תהווה בסיס לייצור זיכרונות מהדור הבא, בגיאומטריה של 10  ננומטר".

להערכת חברת המחקר גרטנר, שוק ה-DRAM העולמי יצמח מהיקף של 35.6 מיליארד דולר ב-2013 להיקף של 37.9 מיליארד דולר בשנת 2014.

The new 20nm 4Gb DDR3- based modules can save up to 25% of the energy consumed by equivalent modules fabricated using the previous 25 nanometer process technology.

More information: Samsung Computing DRAM

פורסם בקטגוריות: Memory , כללי